Abstrak
Karbida silikon (SiC) memiliki prospek aplikasi penting dalam perangkat daya dan frekuensi radio. Memperoleh kristal SiC dengan diameter besar dan kualitas tinggi masih menjadi tantangan. Dalam penelitian ini, medan suhu selama pertumbuhan kristal SiC diselidiki melalui metode transportasi uap fisik (PVT). Berdasarkan hasil simulasi numerik, sistem pertumbuhan yang lebih baik dirancang dan kristal SiC yang sempurna tanpa cacat tepi berhasil diperoleh. Selanjutnya, kurva goyangan sinar-X, resistivitas listrik, dan kerapatan dislokasi kristal SiC yang diperoleh dievaluasi.
Penghapusan Cacat Tepi pada Kristal SiC yang Tumbuh Melalui Metode Pengangkutan Uap Fisik
